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1.
利用吩噻嗪单体的空穴传输能力、吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性和它们分子结构的非共面性,制备了高效的含吩噻嗪及其衍生物结构单元的对苯撑乙烯聚合物有机电致发光材料P1。同时在单体中引入了烷氧基和长链烷基,使得合成的聚合物在四氢呋喃、氯仿、二氯甲烷、甲苯等溶剂中有较好的溶解性。研究吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性对聚合物P1的电子传输性能的影响,合成不含吩噻嗪衍生物的同一类型聚合物P2。制备以聚合物P1和P2为发光层的单层OLED器件,经测量,聚合物P1的器件外量子效率是聚合物P2器件的3.5倍。  相似文献   
2.
2-(2-喹啉偶氮)-5-二甲氨基苯胺光度法测定铜   总被引:1,自引:0,他引:1  
在pH=4.0的磷酸盐缓冲介质中,CTMAB存在下,2-(2-喹啉偶氮)-5-二甲氨基苯胺(QADMAA)与铜反应生成2:1稳定络合物,络合物λmax=580nm,ε=1.14×105L·mol-1·cm-1.铜含量在0.01-0.6μg/mL内符合比耳定律,方法用于环境样品中铜的测定,结果令人满意.  相似文献   
3.
 提出了一种适用于环板结构的计算等效相对介电常数的方法,利用变分法导出了介质加载环板慢波结构的色散方程和耦合阻抗表达式。计算结果表明,介质加载能够有效降低环板慢波结构的工作电压。计算结果与CST-MWS的模拟结果吻合良好,说明所提出的计算等效相对介电常数的方法和计算色散方程的方法对环板慢波结构是切实可行的。  相似文献   
4.
股票价格遵循几何分式Brown运动的期权定价   总被引:6,自引:0,他引:6  
讨论了股票价格过程遵循几何分式B row n运动的欧式期权定价.由于该过程存在套利机会使得传统的期权定价方法(如资本资产定价模型(CAPM),套利定价模型(APT),动态均衡定价理论(DEPT))不可能对该期权定价.利用保险精算定价法,在对市场无其它任何假设条件下,获得了欧式期权的定价公式.并讨论了在有效期内股票支付已知红利和红利率的推广公式.  相似文献   
5.
以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小.分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构.在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关.  相似文献   
6.
本文通过对粒径为2.2-25.5nm的锐钛矿二氧化钛超细纳米晶在83-293 K温度范围内的变温拉曼光谱的研究,得到了三声子互作用对拉曼频率和线宽的贡献随粒径的变化关系。结果表明锐钛矿二氧化钛超细纳米晶的三声子相互作用随粒径减小而加强。  相似文献   
7.
光子晶体在座舱罩雷达散射截面减缩中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
银燕  袁乃昌 《应用光学》2006,27(5):390-393
提出一种金属 介质型光子晶体薄膜,用传输矩阵法计算这种光子晶体薄膜的反射率和透射率。计算结果表明,这种光子晶体薄膜对毫米和厘米量级的微波的反射率高达99%以上;对于波长为微米量级的可见光,平均透光率为50%。分析了介质单元厚度、金属单元厚度、金属层总厚度对透射率的影响,给出这种光子晶体薄膜的材料选择和结构设计应遵循的原则。指出这种光子晶体薄膜涂镀在飞机座舱玻璃上,可以有效地减小座舱罩的雷达散射截面。  相似文献   
8.
基于气固两相流体动力学理论,建立气体纳米颗粒团聚物两相流动双流体模型.模型中采用了Jung & Gidaspow (2002)测量的固相应力模量和王垚等(2001)提出的聚团曳力系数计算模型.对纳米颗粒团聚物的流化过程进行了数值模拟,得到纳米颗粒团聚物的流化特性.模拟得出的床层膨胀比与文献中实验的结果较为接近.  相似文献   
9.
本文从分析相变电阻率 ρP 和磁通蠕动电阻率 ρF 出发 ,指出当T小于某一温度T0 时 ,ρF>ρP,而当T >T0 时 ,ρF 远小于 ρP,并进一步分析了 ρF 与 ρP 随温度的变化率分布图 ,得出磁通蠕动电阻率 ρF 随温度的变化率分布图跟微波响应曲线具有相似的分布特征 ,结果表明 :高温超导体的非平衡微波响应机制可能与磁通涡旋的激发有关 .  相似文献   
10.
螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 介绍了用MAFIA软件的准周期边界条件计算螺旋线行波管慢波结构的色散和耦合阻抗,以及用ANSYS软件对螺旋线径向挤压变形建模的方法,并对螺旋线受挤压径向变形对其冷测特性的影响进行了详细的分析。结果表明:螺旋线径向挤压变形会导致相速增大,而在通常的变形范围内耦合阻抗也会增加;当变形继续增大时耦合阻抗上升到最大值后开始下降。  相似文献   
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